日本学士院

物故会員個人情報

 

氏名

赤﨑勇 (あかさき いさむ)

 

所属部・分科

第2部第5分科

選定年月日

平成26年12月12日

退任年月日

令和3年4月1日

専攻学科目

半導体工学

過去の要職

受賞等

〔国内〕

〔海外〕

主要な学術上の業績

 赤﨑 勇氏は、1973年に青色LED発光素子に必要な高品質窒化物半導体結晶(GaN-窒化ガリウムなど)の作製に着手し、GaN結晶とサファイア基板結晶の間に特殊な薄い層を設ける技術を開発することで、高品質GaN結晶の作製に成功しました。更に、その高品質GaN半導体結晶にマグネシウムを添加することで、原理的に不可能と考えられていたp型電気特性をもたせることにも成功しています。この成功によりGaN結晶でp-n接合型青色発光ダイオード及び青色レーザ素子を実現しています。これらの世界に先駆ける研究は、青色LED照明や青色レーザを始めとする今日の窒化ガリウム系半導体研究並びに産業の原点にあり、特に、青色LED発光素子は低消費電力の白色LED照明ランプとして世界的に普及し始めています。

主要な著書・論文

  1. I. Akasaki and M. Hashimoto: “INFRARED LATTICE VIBRATION OF VAPOUR-GROWN AlN”, Solid State Commun., Vol. 5, pp. 851-853, 1967.
  2. Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: “Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode”, Inst. Phys. Conf. Ser., No. 63, Chap. 10, pp. 479-484, 1981.
  3. I. Akasaki and H. Amano: (Invited Review Paper) “Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45, pp. 9001-9010, 2006 および I Akasaki and H. Amano: Jpn.J.Appl.Phys.Vol 47,No.5,2008.p 3781: Erratum; “ [ Jpn.J.Appl.Phys.Vol.45  (2006) pp. 9001-9010] ”.
  4. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: “Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer”, Appl. Phys. Lett., Vol. 48, No. 5, pp. 353-355, 1986.
  5.  I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, and N. Sawaki: “EFFECTS OF AlN BUFFER LAYER ON CRYSTALLOGRAPHIC STRUCTURE AND ON ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GaN AND and Ga1-xAlxN (0<x≤0.4) FILMS GROWN ON SAPPHIRE SUBSTRATE BY MOVPE”, J. Crystal Growth, Vol. 98, pp. 209-219, 1989.
  6. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: “P-Type Conduction in Mg - Doped GaN Treated with Low - Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 28, No. 12, pp. L2112-L2114, 1989.
  7. H. Murakami, T. Asahi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki and I. Akasaki:  “Growth of Si-doped AlxGa1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy”, J. Crystal Growth, Vol. 115, pp. 648-651, 1991.
  8. H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki: “Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 29, No. 2, pp. L205-L206, 1990.
  9. I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka and M. Koike: “Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 34, Pt. 2, No. 11B, pp. L1517-L1519, 1995.
  10. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: “Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, Pt. 2, No. 4A, pp. L382-L385, 1997.