｜日本学士院

会員情報

氏名

赤﨑勇（あかさき　いさむ）

所属部・分科

第2部第5分科

選定年月日

平成26年12月12日

専攻学科目

半導体工学

現職等

名城大学終身教授・特別栄誉教授
名古屋大学特別教授・名誉教授
名城大学窒化物半導体基盤技術研究センター長
名古屋大学赤﨑記念研究センターリサーチ・フェロー

受賞等

国内

日本結晶成長学会論文賞（平成元年）
中日文化賞（平成3年）
日本結晶成長学会創立20周年記念技術貢献賞（平成6年）
紫綬褒章（平成9年）
井上春成賞（平成10年）
応用物理学会会誌賞（平成10年）
C&C賞（平成10年）
東レ科学技術賞（東レ科学振興会）（平成12年）
朝日賞（平成13年）
応用物理学会業績賞（平成14年）
藤原賞（平成14年）
勲三等旭日中綬章（平成14年）
武田賞（平成14年）
日本学術会議会長賞（平成15年）
文化功労者（平成16年）
東海テレビ文化賞（平成16年）
P & I パテント・オブ・ザ・イヤー賞（平成16年）
日本結晶成長学会業績賞（平成18年）
日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会特別功績賞（平成19年）
京都賞（平成21年）
知的財産特別貢献賞（平成23年）
南日本文化賞・特別賞（平成23年）
文化勲章（平成23年）
名古屋大学レクチャーシップ（平成24年）
丸八会表彰（平成24年）
大川出版賞（平成26年）
日本学術振興会光電相互変換第125委員会特別功績賞（平成26年）
恩賜賞・日本学士院賞（平成26年）
名古屋市学術表彰（平成27年）
愛知県学術顕彰（平成27年）
京都市教育委員会第67回教育功労者表彰（平成27年）
京都大学名誉博士（平成27年）
日本学術振興会光電相互変換第125委員会特別表彰（平成29年）

海外

オプトエレクトロニクス会議特別賞（1994年）
化合物半導体国際シンポジウム賞（1995年）
Heinrich Welker Gold Medal（1995年）
IEEE/LEOS Engineering Achievement Award（1996年）
Laudise Prize（結晶成長学国際機構）（1998年）
Jack A. Morton Award （IEEE）（1998年）
Rank Prize（Rank Foundation, UK）（1998年）
IEEEフェロー賞（1999年）
Solid State Science & Technology Award（Electrochemical Society）（1999年）
SSDM （International Conference on Solid State Devices & Materials） Award （2003年）
John Bardeen Award（TMS）（2006年）
Edison Medal (IEEE) （2011年）
カール・フェルディナンド・ブラウン賞（SID）（2013年）
ノーベル物理学賞（2014年）
Charles Stark Draper Prize（全米工学アカデミー）（2015年）
Asia Game Changers Award（2015年）
Unesco Medal（2016年）

外国アカデミー会員等

全米工学アカデミー外国人会員（2008年）
IEEEライフフェロー（2013年）

主要な学術上の業績

赤﨑　勇氏は、1973年に青色LED発光素子に必要な高品質窒化物半導体結晶（GaN－窒化ガリウムなど）の作製に着手し、GaN結晶とサファイア基板結晶の間に特殊な薄い層を設ける技術を開発することで、高品質GaN結晶の作製に成功しました。更に、その高品質GaN半導体結晶にマグネシウムを添加することで、原理的に不可能と考えられていたｐ型電気特性をもたせることにも成功しています。この成功によりGaN結晶でｐ-ｎ接合型青色発光ダイオード及び青色レーザ素子を実現しています。これらの世界に先駆ける研究は、青色LED照明や青色レーザを始めとする今日の窒化ガリウム系半導体研究並びに産業の原点にあり、特に、青色LED発光素子は低消費電力の白色LED照明ランプとして世界的に普及し始めています。

主要な著書・論文

I. Akasaki and M. Hashimoto: “INFRARED LATTICE VIBRATION OF VAPOUR-GROWN AlN”, Solid State Commun., Vol. 5, pp. 851-853, 1967.
Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: “Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode”, Inst. Phys. Conf. Ser., No. 63, Chap. 10, pp. 479-484, 1981.
I. Akasaki and H. Amano: (Invited Review Paper) “Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45, pp. 9001-9010, 2006 および I Akasaki and H. Amano: Jpn.J.Appl.Phys.Vol 47,No.5,2008.p 3781: Erratum; “ [ Jpn.J.Appl.Phys.Vol.45 (2006) pp. 9001-9010] ”.
H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: “Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer”, Appl. Phys. Lett., Vol. 48, No. 5, pp. 353-355, 1986.
I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, and N. Sawaki: “EFFECTS OF AlN BUFFER LAYER ON CRYSTALLOGRAPHIC STRUCTURE AND ON ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GaN AND and Ga1-xAlxN (0<x≤0.4) FILMS GROWN ON SAPPHIRE SUBSTRATE BY MOVPE”, J. Crystal Growth, Vol. 98, pp. 209-219, 1989.
H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: “P-Type Conduction in Mg - Doped GaN Treated with Low - Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 28, No. 12, pp. L2112-L2114, 1989.
H. Murakami, T. Asahi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki and I. Akasaki: “Growth of Si-doped AlxGa1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy”, J. Crystal Growth, Vol. 115, pp. 648-651, 1991.
H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki: “Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 29, No. 2, pp. L205-L206, 1990.
I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka and M. Koike: “Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 34, Pt. 2, No. 11B, pp. L1517-L1519, 1995.
T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: “Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, Pt. 2, No. 4A, pp. L382-L385, 1997.