• 首都大学東京学長
• 東北大学名誉教授

• 日本学士院賞（昭和49年）
• 紫綬褒章（昭和50年）
• 文化功労者（昭和58年）
• 文化勲章（平成元年）
• 勲一等瑞宝章（平成14年）

• ジャック・A・モートン賞（昭和58年）
• IEEEエジソンメダル（平成12年）

• ロシア科学アカデミー 外国人会員（昭和63年）
• ポーランド科学アカデミー 外国人会員（平成6年）
• 韓国科学技術アカデミー 名誉外国人会員（平成8年）
• セルビア・モンテネグロ工学アカデミー 外国人会員（平成14年）
• チェコ工学アカデミー 外国人会員（平成16年）

西澤潤一氏は、pinダイオードや静電誘導トランジスターを発明・開発し、半導体電子工学の発展に貢献しました。光ファイバ通信の提案、屈折率分布型光ファイバ、半導体レーザ、pinホトダイオードなどの発明を通じ、現代の光通信の誕生に貢献しました。また完全結晶成長機構を解明し、ホトエピタキシ、GaAsなど化合物半導体組成の精密制御の研究と方法、分子層エピタキシを創案展開し、材料工学の発展に貢献しました。また低周波大電力から光波長までの周波数を発振させることに成功し、特にテラヘルツ波を利用して分子内の原子間振動を誘起させることにより分子の同定を行うことに成功、癌の同定などに応用すること、有機分子の欠陥を検出することに成功しました。また半導体デバイスを作って直流を高周波までの交流に変換することに成功し、これを用いて直流の電圧変換にも成功、直流長距離送電にも成功して次世代エネルギー開発にも重要な成果を挙げました。

• 1. 渡辺, 西澤, 吉田, ｢半導体の整流機構について(V)｣, 物性論研究, 第41号, p. 107 (1951)
  2. 渡辺, 西澤, 佐藤, 「結晶整流器に関する研究(2)」, 電気工学論文集, 第4巻2号, p. 100 (1952)
  3. 渡辺, 西澤, 佐藤, 千葉, ｢結晶整流器に関する研究(3)」, 電気工学論文集, 第4巻2号, p. 105 (1952)
  4. J. Nishizawa, S. Iwasa and Y. Watanabe, “Simplified Theory on Inductive Impedance of p-n Junction”, Sci. Rep. RITU, 第10巻2号, p. 45 (1958)
  5. 西澤,「接合形トランジスタの高周波入力インピーダンスと最大面積、ベース抵抗：エミッタしゃ断」, 電子通信学会雑誌, 第44巻5号, p. 767 (1961)
  6. 中野, 佐々木, 北沢, 西澤, ｢オプトエレクトロニクス－方向性半導体変成器｣, 電気通信学会雑誌, 第49巻4号 (1966)
  7. N. Miyamoto and J. Nishizawa, “Contactless Measurement of Resistivity of Slices of Semiconductor Materials”, The Reviews of Scientific Instruments, Vol. 38, No. 3, pp. 360-367 (1967)
  8. M. Kumagawa, H. Sunami, T. Terasaki and J. Nishizawa, “Epitaxial Growth with Light Irradiation”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 7, No. 11, pp. 1332-1341 (1968)
  9. S. Kawakami and J. Nishizawa, “A Cylindrical or Thin Film wave-guide with Focusing Properties at Optical Frequencies”, 1969 European Microwaves Conference, London, pp. 1-4 (1969)
  10. H. Yokogawa and J. Nishizawa, “Neuristor Propagation in Low Impedance Line”, International J. Electronics, Vol. 29, No. 2, pp. 101-137 (1970)
  11. J. Nishizawa, T. Terasaki and M. Shinbo, “Layer Growth in Si Epitaxy”, Journal of Crystal Growth, Vol. 13/14, pp. 297-301 (1972)

• 半導体研究振興会